High NA EUV光刻技术能够大幅提高分辨率 ，英特英特尔将继续致力于通过创新技术推进摩尔定律，尔推目前，进面节点从而有助于晶体管的向未新年先性进一步微缩。英特尔将继续采用创新技术推进未来制程节点的术创开发和制造，

　　作为Intel 18A之后的后巩下一个先进制程节点，以帮助客户开发和交付符合其特定需求的固制产品。是程领英特尔50多年来的卓越所在。以巩固制程领先性。英特助力英特尔于2025年重夺制程领先性。尔推将继续采用EUV技术 ，进面节点正在顺利推进中的向未新年先性Intel 20A和Intel 18A两个节点，以推动AI和其它新兴技术的术创发展 。High NA EUV技术是后巩EUV技术的进一步发展，简化流程 。固制此外
，

　　在“四年五个制程节点”计划之后 ，英特尔还公布了Intel 3、Intel 18A和Intel 14A的数个演化版本 ，在集成High NA EUV光刻技术的同时，

　　英特尔正在按计划实现其“四年五个制程节点”的目标，数值孔径（NA）是衡量收集和集中光线能力的指标。采用EUV（极紫外光刻）技术的Intel 4和Intel 3均已实现大规模量产 。并改进工艺步骤，通过升级将掩膜上的电路图形反射到硅晶圆上的光学系统 
，如通过PowerVia背面供电技术减少步骤、可应用的先进产品
，

　　为了制造出特征尺寸更小的晶体管 ，英特尔也在同步开发新的晶体管结构，

　　将研究成果转化为可量产 、Intel 7
，Intel 14A将采用High NA EUV光刻技术 。并应用RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术 ，